**Part Number:** SI4477DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
- The SI4477DY is a N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  

**Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Compact SO-8 package for space-constrained applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: VISHAY datasheet for SI4477DY)