P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4465ADY is a high-performance, low-current transceiver IC manufactured by Silicon Labs (now part of Skyworks Solutions). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Silicon Labs (now part of Skyworks Solutions)  

### **Part Number:**  
SI4465ADY  

### **Description:**  
The SI4465ADY is a sub-GHz RF transceiver designed for low-power, long-range wireless applications. It operates in the frequency range of 142–1050 MHz and supports various modulation schemes, including (G)FSK, 4(G)FSK, and OOK.  

### **Key Features:**  
- **Frequency Range:** 142–1050 MHz  
- **Modulation Schemes:** (G)FSK, 4(G)FSK, OOK  
- **Data Rate:** Up to 1 Mbps  
- **Output Power:** Up to +20 dBm  
- **Receiver Sensitivity:** -126 dBm (at 1.2 kbps, GFSK)  
- **Low Power Consumption:**  
  - **RX Current:** 13.5 mA  
  - **TX Current:** 18 mA (at +10 dBm)  
  - **Sleep Current:** 30 nA  
- **Supply Voltage:** 1.8–3.6 V  
- **Integrated Features:**  
  - Power amplifier (PA)  
  - Low-noise amplifier (LNA)  
  - Frequency synthesizer  
  - Digital modem  
  - Packet handler  
  - Automatic gain control (AGC)  
- **Package:** 20-pin QFN (4x4 mm)  

### **Applications:**  
- Smart metering  
- Home automation  
- Industrial wireless control  
- Remote keyless entry (RKE)  
- Wireless sensor networks  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4465ADY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4465ADY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 10 V:** 4.5 mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 4.5 V:** 6.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4465ADY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET Gen III technology, which provides low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For additional details, refer to the official Vishay datasheet for the SI4465ADY.