SI4465ADY

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4465ADY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4465ADY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 10 V:** 4.5 mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 4.5 V:** 6.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4465ADY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET Gen III technology, which provides low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For additional details, refer to the official Vishay datasheet for the SI4465ADY.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET