N-Channel 200-V (D-S) MOSFET The SI4464DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4464DY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The SI4464DY is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  
- The device is housed in a D2PAK (SO-8) package, providing efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in demanding conditions.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.