IC Phoenix logo

Home ›  S  › S25 > SI4446DY

SI4446DY from VISHAY

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

SI4446DY

Manufacturer: VISHAY

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4446DY VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET The part **SI4446DY** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4446DY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 44 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.5 mΩ (at VGS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

### **Descriptions:**  
The **SI4446DY** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications. It features **low on-resistance** and **fast switching**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **High current handling capability**  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4446DY 148 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET The SI4446DY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -11A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -44A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W (at TA = 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 28mΩ (at VGS = -10V, ID = -11A)  
  - 35mΩ (at VGS = -4.5V, ID = -6.5A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI4446DY is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and load control in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Vishay Siliconix's official documentation.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips