**Part Number:** SI4446DY-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 13A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 6.5mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 10mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The SI4446DY-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, load switching, and motor control.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- Fast switching speed  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

**Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

**Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official documentation.