### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 3.5mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 5.0mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 147W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Thermally Enhanced Package:** PowerPAK® SO-8 improves thermal performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and battery management systems.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI4435DDY MOSFET.