N-Channel 250-V (D-S) MOSFET The SI4434DY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4434DY-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon, TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4434DY-T1-E3 is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and load control in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- TrenchFET® technology for improved efficiency  
- Fast switching performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4434DY-T1-E3. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.