P-Channel 1.8V (G-S) MOSFET The SI4433DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4433DY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The SI4433DY is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current capability.  
- Avalanche energy rated.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.