**Part Number:** SI4427DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 8.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 10mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK® SO-8)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with lower R_DS(on) and improved switching characteristics.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management in automotive and industrial systems.  

(Data sourced from Vishay's official documentation.)