SI4420DYTR

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4420DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (INTTRNAT). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (INTTRNAT)  
- **Part Number:** SI4420DYTR  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.05Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The SI4420DYTR is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for load switching, battery management, and DC-DC conversion.  
- The device features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to -5.3A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in power applications.  
- **SO-8 Package:** Compact and suitable for surface-mount designs.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive signals.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package