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SI4420DYTR from IOR,International Rectifier

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SI4420DYTR

Manufacturer: IOR

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4420DYTR IOR 267 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4420DYTR is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Part Number:**  
SI4420DYTR  

### **Description:**  
The SI4420DYTR is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, power management circuits, and motor control systems.  

### **Key Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** (Two independent MOSFETs in a single package)  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Typically 0.025Ω (VGS = 10V)  
- **High Current Handling:** Up to 8.5A continuous drain current per channel  
- **Voltage Rating:** 30V drain-to-source voltage (VDS)  
- **Low Gate Charge (Qg):** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact and thermally efficient  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control circuits  
- Battery protection circuits  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4420DYTR INTTRNAT 3169 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The SI4420DYTR is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (INTTRNAT). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (INTTRNAT)  
- **Part Number:** SI4420DYTR  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.3A (at TC = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -20A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.05Ω (max) at VGS = -4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (at TA = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The SI4420DYTR is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for load switching, battery management, and DC-DC conversion.  
- The device features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to -5.3A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in power applications.  
- **SO-8 Package:** Compact and suitable for surface-mount designs.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 4.5V gate drive signals.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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