**Part Number:** SI4412ADY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56 A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 4.5 mΩ at V_GS = 10 V  
  - 5.8 mΩ at V_GS = 4.5 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 3.1 W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4412ADY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, load switches, and motor control.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- Enhanced thermal performance with PowerPAK® SO-8 package  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

(Data sourced from VISHAY's official documentation.)