N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4410DY-REVA is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4410DY-REVA is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for battery protection, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness under inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 3.3V logic circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI4410DY-REVA.