P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI4403DY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 0.06 Ω (at V_GS = -10 V)  
  - 0.08 Ω (at V_GS = -4.5 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -2 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI4403DY is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and fast switching. It is commonly used in power management, DC-DC converters, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes or testing conditions, refer to the official Vishay Siliconix documentation.

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET **Manufacturer:** Siliconix (a subsidiary of Vishay Intertechnology)  

**Part Number:** SI4403DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Logic-level compatible gate drive.  
- Suitable for battery management, power distribution, and load switching.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for detailed specifications.)

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4403DY  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.05Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4403DY is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low threshold voltage  
- High current handling capability  
- Low gate charge  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy rated  
- Suitable for load switching and power management applications  

(Source: VISHAY datasheet for SI4403DY)