P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  
**Part Number:** SI4403BDY  
**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -7.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SO-8  
**Descriptions:**  
The SI4403BDY is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  
**Features:**  
- Low on-resistance for reduced power loss  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Suitable for power management in portable and industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
(Source: VISHAY datasheet for SI4403BDY)