N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The part SI4396DY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4396DY  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in operation.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Vishay's official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode