N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET **Manufacturer:** VISHAY  
**Part Number:** SI4390DY  
**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.022Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  
**Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, DC-DC converters, and load switching.  
(Data sourced from Vishay's official documentation.)