N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4362DYT1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4362DYT1-E3  

### **Description:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 40 mΩ (at V_GS = -10 V)  
  - 50 mΩ (at V_GS = -4.5 V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- Optimized for high-efficiency power management applications  
- RoHS compliant and halogen-free  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. No additional suggestions or guidance are included.