IC Phoenix logo

Home ›  S  › S25 > SI4362DY-T1-E3

SI4362DY-T1-E3 from VISHAY

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

SI4362DY-T1-E3

Manufacturer: VISHAY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4362DY-T1-E3,SI4362DYT1E3 VISHAY 5857 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4362DY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4362DY-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -17A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ @ VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4362DY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high efficiency in switching applications.  
- Suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery management systems.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **SO-8 Package:** Compact and suitable for space-constrained designs.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4362DY-T1-E3,SI4362DYT1E3 VISHAY 41960 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4362DY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4362DY-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -20A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 47mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
The SI4362DY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**
- Low on-resistance (RDS(on)) for efficient power handling  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  
- Suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4362DY-T1-E3,SI4362DYT1E3 SI 100 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4362DY-T1-E3 is a RF Transceiver IC manufactured by Silicon Labs (formerly Silicon Laboratories). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Silicon Labs (Silicon Laboratories)  

### **Part Number:**  
SI4362DY-T1-E3  

### **Description:**  
The SI4362 is a low-current, high-performance RF transceiver designed for sub-GHz wireless applications. It operates in the 142–1050 MHz frequency range and supports various modulation schemes, including (G)FSK, OOK, and ASK.  

### **Key Features:**  
- **Frequency Range:** 142–1050 MHz  
- **Modulation Schemes:** (G)FSK, OOK, ASK  
- **Data Rate:** Up to 1 Mbps  
- **Low Power Consumption:**  
  - RX Current: 10.5 mA  
  - TX Current: 18 mA (at +10 dBm output)  
  - Sleep Current: 30 nA  
- **High Sensitivity:** Down to -124 dBm (at 1.2 kbps, GFSK)  
- **Output Power:** Up to +20 dBm (adjustable)  
- **Supply Voltage:** 1.8–3.6 V  
- **Package:** 20-pin TSSOP  
- **Interface:** SPI  
- **Temperature Range:** -40°C to +85°C  

### **Applications:**  
- Wireless sensor networks  
- Smart metering  
- Home automation  
- Industrial control  
- Remote keyless entry (RKE)  

This transceiver is designed for low-power, long-range wireless communication and is widely used in IoT and embedded systems.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4362DY-T1-E3,SI4362DYT1E3 Pb-free 2382 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4362DY-T1-E3 is a manufacturer part with the following specifications:  

- **Manufacturer**: Vishay Siliconix  
- **Pb-free (Lead-free)**: Yes, it is RoHS compliant and lead-free.  
- **Description**: It is a P-Channel MOSFET with a voltage rating of -30V and a current rating of -5.8A.  
- **Features**:  
  - Low on-resistance (RDS(on))  
  - Fast switching speed  
  - High power efficiency  
  - Suitable for power management applications  

This information is based on factual data from the manufacturer's specifications.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips