**Part Number:** SI4288DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

### **Descriptions:**  
The SI4288DY is a high-performance N-Channel MOSFET utilizing Vishay’s TrenchFET® Gen IV technology. It is designed for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Vishay datasheet.