SI4276DY

**Part Number:** SI4276DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (min) to 2.5 V (max)  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for efficient operation.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  
- Robust thermal performance with a low thermal resistance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official Vishay datasheet.