Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4230DY-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4230DY-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4230DY-T1-GE3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen IV technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Improves reliability under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  

This information is strictly factual and sourced from Vishay’s product documentation.