SI4178DY-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4178DY-T1-GE3 is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4178DY-T1-GE3  
- **Technology:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions:**
- The SI4178DY-T1-GE3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for high-efficiency applications.  
- Enhanced thermal performance due to SO-8 package.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This information is sourced from Vishay's official documentation and datasheets.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET