**Part Number:** SI4168DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (D2PAK compatible)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications with fast switching speeds.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures high performance and reliability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Data sourced from VISHAY’s official documentation.)