**Part Number:** SI4166DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SO-8 (D2PAK)  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)