**Part Number:** SI4162DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.042Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.065Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency operations.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on VISHAY's datasheet for the SI4162DY MOSFET.