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SI4162DY-T1-GE3 from VISHAY

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15.625ms

SI4162DY-T1-GE3

Manufacturer: VISHAY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4162DY-T1-GE3,SI4162DYT1GE3 VISHAY 2860 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4162DY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4162DY-T1-GE3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** -25A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **RDS(ON) (Max):** 36mΩ at VGS = -4.5V  
- **RDS(ON) (Max):** 45mΩ at VGS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4162DY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for power management in portable electronics  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI4162DY-T1-GE3,SI4162DYT1GE3 VIS 30000 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4162DY-T1-GE3 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (VIS)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30 V  
- **Current Rating (ID):** 6.5 A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035 Ω (max) @ VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8 (small outline, surface-mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, load switches, and power distribution systems.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **PowerPAK® SO-8 package** offers high power density and thermal performance.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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