SI4162DY-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4162DY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4162DY-T1-GE3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max):** 36mΩ at V_GS = -4.5V  
- **R_DS(ON) (Max):** 45mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4162DY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for power management in portable electronics  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET