N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4134DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Dual)  

### **Descriptions:**  
- The SI4134DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay's TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Space-saving SO-8 package.  
- **Avalanche Rated:** Improves reliability in rugged conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to Vishay's official documentation.