N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SI4134DY-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4134DY-T1-GE3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Features low on-resistance and high current handling capability.  
- Suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery management.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Optimized for space-constrained designs.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.