**Part Number:** SI4126DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (ID):**  
  - N-Channel: 6.3A  
  - P-Channel: -5.3A  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - N-Channel: 28mΩ (at VGS = 10V)  
  - P-Channel: 45mΩ (at VGS = -10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 1.5V (max)  
  - P-Channel: -1.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual MOSFET Configuration:** Combines one N-Channel and one P-Channel MOSFET in a single SO-8 package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power management applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with lower gate charge and reduced conduction losses.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, power management, load switching, and battery protection circuits.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

(Data sourced from Vishay's official documentation.)