SI4126

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS Here are the factual details about part SI4126 from the manufacturer SILICON:

### **Manufacturer:** SILICON  
### **Part Number:** SI4126  

#### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel RF MOSFET  
- **Voltage Rating (Vds):** 20V  
- **Current Rating (Id):** 400mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.25W  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 2.5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.5pF (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** 0.8V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

#### **Descriptions:**  
- The SI4126 is a dual N-channel enhancement-mode RF MOSFET designed for high-frequency applications.  
- It is optimized for low noise and high gain in RF amplifier circuits.  

#### **Features:**  
- Low noise figure  
- High gain performance  
- Matched dual N-channel configuration  
- Suitable for RF switching and amplification  
- Small-signal operation optimized  

For exact application details, refer to the official datasheet from SILICON.

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS