ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS Here are the factual details about part SI4126 from manufacturer VISHAY:

**Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY
- **Part Number:** SI4126
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (VDS):** 20V
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max at VGS = 4.5V)
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.7V (min) to 1.5V (max)
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

**Descriptions:**
- The SI4126 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.
- It is commonly used in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.

**Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.
- Fast switching speed.
- Logic-level gate drive compatibility.
- Lead-free and RoHS compliant.
- Available in a compact SO-8 package.

For exact application details or further technical support, refer to the official VISHAY datasheet.

ISM RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS Here are the factual details about part SI4126 from the manufacturer SILICON:

### **Manufacturer:** SILICON  
### **Part Number:** SI4126  

#### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel RF MOSFET  
- **Voltage Rating (Vds):** 20V  
- **Current Rating (Id):** 400mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.25W  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 2.5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.5pF (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** 0.8V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

#### **Descriptions:**  
- The SI4126 is a dual N-channel enhancement-mode RF MOSFET designed for high-frequency applications.  
- It is optimized for low noise and high gain in RF amplifier circuits.  

#### **Features:**  
- Low noise figure  
- High gain performance  
- Matched dual N-channel configuration  
- Suitable for RF switching and amplification  
- Small-signal operation optimized  

For exact application details, refer to the official datasheet from SILICON.