N-Channel 40-V (D-S) MOSFET The SI4122DY-T1-GE3 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 20V  
  - P-Channel: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (at V_GS = 4.5V)  
  - P-Channel: 80mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - N-Channel: 0.7V (min), 1.5V (max)  
  - P-Channel: -0.7V (min), -1.5V (max)  
- **Package:** SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI4122DY-T1-GE3 is a dual MOSFET combining an N-channel and P-channel MOSFET in a single SO-8 package.  
- Designed for power management applications, including DC-DC converters, load switching, and motor control.  
- Features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**
- **Dual MOSFET Configuration:** Integrated N-channel and P-channel MOSFETs.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Compact SO-8 Package:** Space-saving design for high-density PCB layouts.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Vishay's specifications for the SI4122DY-T1-GE3.