**Part Number:** SI4114DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 11mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Dual MOSFET in a single package)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Efficiency Power MOSFET:** Designed for high-performance switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances thermal performance and power handling.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact circuit designs in power management.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from VISHAY's official datasheet for the SI4114DY.