DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS The part **SI4113-D-GT** is manufactured by **SILICON**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICON  
- **Part Number:** SI4113-D-GT  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) – 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **SI4113-D-GT** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.