DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS The part **SI4112-BM** is manufactured by **SILICON**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Enhanced thermal performance due to optimized package design.  
- RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.