**Part Number:** SI4108DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions:**  
The SI4108DY is an N-Channel MOSFET designed for power switching applications, offering low on-resistance and high efficiency.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

(Source: Vishay datasheet for SI4108DY)