N-Channel 100-V (D-S) MOSFET The SI4102DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4102DY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 34A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 580pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The SI4102DY is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for surface-mount applications (DPAK package)  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

For detailed application notes or additional technical data, refer to Vishay’s official datasheet.