SI3993DV

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3993DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3993DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 9.5nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**
The SI3993DV is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for load switching and power distribution in portable electronics, battery management systems, and DC-DC converters.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for low-voltage drive applications  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET