Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI3981DV** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3981DV  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Description:**  
The **SI3981DV** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
- Suitable for power management in portable devices, DC-DC converters, and load switching  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Here is the factual information about part SI3981DV from the manufacturer VIS:  

- **Manufacturer**: VIS  
- **Part Number**: SI3981DV  
- **Type**: Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating**: 20V  
- **Current Rating**: 6.3A per channel  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 50mΩ (typical) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 0.7V (typical)  
- **Power Dissipation**: 2W (per channel)  
- **Package**: SOIC-8  
- **Features**:  
  - Low on-resistance  
  - Fast switching speed  
  - Logic-level gate drive  
  - ESD protection  

This information is based on the manufacturer's specifications.