Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SI3932DV is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Drain Current (I_D):** 5.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 280pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI3932DV is a dual N-channel MOSFET in a compact PowerPAK® SO-8 package.  
- It is designed for high-efficiency power management applications, including DC-DC converters and load switching.  
- The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Dual N-channel configuration** in a single package.  
- **Optimized for high-density designs** due to the PowerPAK® SO-8 package.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

For detailed application notes or additional technical information, refer to Vishay’s official datasheet.