Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET The SI3915DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ at V_GS = -4.5V  
  - 55mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 10nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI3915DV is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and battery management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- Fast switching speed  
- Compact PowerPAK® SO-8 package for space-saving designs  
- RoHS compliant  

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