Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI3900DV-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3900DV-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI3900DV-T1-E3 is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for load switching, power management, and battery protection circuits.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and reduced footprint compared to standard SO-8 packages.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability in a compact package.  
- Optimized for fast switching applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.