Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI3900DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3900DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TSOP-6  

### **Descriptions:**  
The SI3900DV is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Compact TSOP-6 package for space-constrained applications  
- Suitable for battery-powered and portable devices  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI3900DV.