**Part Number:** SI3861BDV  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.6V (min) - 1.2V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI3861BDV is a N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current handling capability  
- Optimized for power management in portable devices  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

(Source: Vishay datasheet)