Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) The SI3850ADV is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI3850ADV  

### **Description:**  
The SI3850ADV is an N-channel TrenchFET® power MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Optimized for fast switching  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in computing and telecom systems  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI3850ADV.