SI3812DV

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI3812DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.2A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (at V_GS = -4.5V, I_D = -3.7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.6V to -1.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Description:**  
The SI3812DV is a P-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency power management applications. It is optimized for switching and amplification in portable electronics, battery protection circuits, and power distribution systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Logic-level gate drive compatibility  
- Lead-free and RoHS compliant  

For exact performance characteristics, refer to Vishay’s official datasheet.

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode