SI3586DV

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI3586DV** is manufactured by **VIS (Vishay Intertechnology, Inc.)**.  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VIS (Vishay Intertechnology, Inc.)  
- **Part Number:** SI3586DV  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 7.5A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 20mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI3586DV is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-frequency switching  
- TrenchFET® Gen III technology for improved efficiency  
- PowerPAK® SO-8 package for space-saving designs  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to Vishay's official documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET