**Part Number:** SI3586DV-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** 30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 6.3A  
- **Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):** 4.5V, 10V  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 28mΩ @ 6.3A, 10V  
- **Vgs(th) (Max) @ Id:** 2.5V @ 250µA  
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs:** 10nC @ 10V  
- **Input Capacitance (Ciss) @ Vds:** 800pF @ 15V  
- **Power Dissipation (Max):** 2.5W  
- **Operating Temperature:** -55°C to 150°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Package / Case:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI3586DV-T1-E3 is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, DC-DC converters, and motor control.  

**Features:**  
- Low Rds(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High power efficiency  
- Optimized for high-density designs  
- RoHS compliant  
- Halogen-free  

(Source: Vishay datasheet for SI3586DV-T1-E3)