N-/P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET The SI3552DV is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3552DV  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **RDS(ON) (Max):** 0.028Ω @ VGS = 10V  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 750pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns  
- **Rise Time (tr):** 15ns  
- **Fall Time (tf):** 20ns  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The SI3552DV is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  
- The device is optimized for low-voltage, high-efficiency applications.  

### **Features:**
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.