N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3552DV-T1 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3552DV-T1  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max):** 50mΩ at V_GS = -4.5V  
- **R_DS(ON) (Max):** 70mΩ at V_GS = -2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**
The SI3552DV-T1 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching speed  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.