N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3552DV-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3552DV-T1-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI3552DV-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching  
- Lead-free and RoHS compliant  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Suitable for load switching, DC-DC converters, and power management applications  

For detailed performance curves and application notes, refer to Vishay’s official datasheet.

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3552DV-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
### **Part Number:** SI3552DV-T1-E3  
### **Type:** P-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 50 mΩ (at V_GS = -10 V, I_D = -5.8 A)  
  - 65 mΩ (at V_GS = -4.5 V, I_D = -4.2 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (at V_GS = -10 V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 680 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8 (Vishay’s thermally enhanced SO-8 package)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- High power density in a compact SO-8 package  
- Optimized for high-speed switching applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on Vishay’s official datasheet for the SI3552DV-T1-E3.