SI3552DV-T1-E3

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3552DV-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
### **Part Number:** SI3552DV-T1-E3  
### **Type:** P-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 50 mΩ (at V_GS = -10 V, I_D = -5.8 A)  
  - 65 mΩ (at V_GS = -4.5 V, I_D = -4.2 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12 nC (at V_GS = -10 V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 680 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF (at V_DS = -15 V, V_GS = 0 V)  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8 (Vishay’s thermally enhanced SO-8 package)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency  
- High power density in a compact SO-8 package  
- Optimized for high-speed switching applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in portable devices  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Battery protection circuits  

This information is based on Vishay’s official datasheet for the SI3552DV-T1-E3.

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET